Silicon carbide semiconductor device

WO2013021722 Art A1 14. Februar 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013021722
Aktenzeichen: EP12822014
Anmeldetag: 12. Juni 2012
Veröffentlichung: 14. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/095H01L21/337H01L21/338H01L21/8232H01L21/8234H01L27/06H01L27/088H01L27/098H01L29/808H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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