Substrate, semiconductor device, method for producing substrate, and method for manufacturing semiconductor device

WO2013021902 Art A1 14. Februar 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013021902
Aktenzeichen: EP12822081
Anmeldetag: 2. August 2012
Veröffentlichung: 14. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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