Silicon-Containing Resist Underlayer Film-Forming Composition Having Sulfone Structure

WO2013022099 Art A1 14. Februar 2013

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013022099
Aktenzeichen: EP12821761
Anmeldetag: 10. August 2012
Veröffentlichung: 14. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G77/28G03F7/26H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

Vertreten von