Method for manufacturing a quantum dot/silica composite through a single process and light emitting diode applying same

WO2013022155 Art A1 14. Februar 2013

Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013022155
Aktenzeichen: EP11870800
Anmeldetag: 21. Dezember 2011
Veröffentlichung: 14. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C09K11/59H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute Of Science And Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

2.521 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von