A non-volatile memory cell having a high k dielectric and metal gate
WO2013022618
Art A1
14. Februar 2013
Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013022618
- Aktenzeichen
- EP12822797
- Anmeldetag
- 27. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 14. Februar 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/76
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Silicon Storage Technology Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Silicon Storage Technology
Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.
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