Method for forming graphene and graphene oxide salt, and graphene oxide salt

WO2013024727 Art A1 21. Februar 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013024727
Aktenzeichen: EP12823655
Anmeldetag: 30. Juli 2012
Veröffentlichung: 21. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C01B31/02H01M4/587H01M4/62

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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