Method for manufacturing transistor, and transistor

WO2013024734 Art A1 21. Februar 2013

Anmelder: Nikon Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013024734
Aktenzeichen: EP12823798
Anmeldetag: 6. August 2012
Veröffentlichung: 21. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L21/288H01L29/786H01L51/05H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nikon Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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