Self-aligned vertical non-volatile semiconductor memory device

WO2013026249 Art A1 28. Februar 2013

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013026249
Aktenzeichen: EP12825413
Anmeldetag: 2. Februar 2012
Veröffentlichung: 28. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/788H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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