Isolation structure of high-voltage driving circuit
WO2013026363
Art A1
28. Februar 2013
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013026363
- Aktenzeichen
- EP12826247
- Anmeldetag
- 14. August 2012
- Veröffentlichung
- 28. Februar 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.