Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods

WO2013027096 Art A1 28. Februar 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013027096
Aktenzeichen: EP12751353
Anmeldetag: 31. Juli 2012
Veröffentlichung: 28. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/30C23C16/448C23C16/52C30B29/40C30B25/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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