Heterodyne interference lithography apparatus, and method for forming micro-patterns, wafer, and semiconductor device using the apparatus

WO2013027900 Art A1 28. Februar 2013

Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013027900
Aktenzeichen: EP11871322
Anmeldetag: 21. Dezember 2011
Veröffentlichung: 28. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute Of Science And Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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