Memory Cell Coupling Compensation

WO2013028769 Art A1 28. Februar 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013028769
Aktenzeichen: EP12826353
Anmeldetag: 22. August 2012
Veröffentlichung: 28. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/42G11C16/34G11C7/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von