A Method Of Generating A Hole Or Recess Or Well in an Electrically Insulating Or Semiconducting Substrate

WO2013029714 Art A1 7. März 2013

Anmelder: Asahi Glass Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013029714
Aktenzeichen
EP12737490
Anmeldetag
12. Juli 2012
Veröffentlichung
7. März 2013
Rechtsraum
WO
IPC
B26D5/00B26F1/28B23K26/38B23K26/40H01L21/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Asahi Glass Company, Limited
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 AGC (Asahi Glass)

Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.

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