A Method Of Generating A Hole Or Recess Or Well in an Electrically Insulating Or Semiconducting Substrate
WO2013029714
Art A1
7. März 2013
Anmelder: Asahi Glass Company, Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013029714
- Aktenzeichen
- EP12737490
- Anmeldetag
- 12. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 7. März 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B26D5/00B26F1/28B23K26/38B23K26/40H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Asahi Glass Company, Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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