Ozone gas generation treatment device, silicon oxide film formation method, and silicon single crystal wafer evaluation method
WO2013031084
Art A1
7. März 2013
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013031084
- Aktenzeichen
- EP12827593
- Anmeldetag
- 25. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 7. März 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/66H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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