Si/c composite material, method for manufacturing same, and electrode
WO2013031993
Art A1
7. März 2013
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013031993
- Aktenzeichen
- EP12826740
- Anmeldetag
- 31. August 2012
- Veröffentlichung
- 7. März 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01M4/38B82Y30/00B82Y40/00H01M4/134H01M4/36H01M4/48H01M4/587
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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