Ferroelectric memory device and method for manufacturing same

WO2013032257 Art A2 7. März 2013

Anmelder: Seoul National University R&DB Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013032257
Aktenzeichen: EP12828611
Anmeldetag: 31. August 2012
Veröffentlichung: 7. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/105H01L21/8232

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul National University R&DB Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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