Addressable siox memory array with incorporated diodes

WO2013032983 Art A1 7. März 2013

Anmelder: William Marsh Rice University, Nanyang Technological University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013032983
Aktenzeichen: EP12827935
Anmeldetag: 27. August 2012
Veröffentlichung: 7. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L47/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: William Marsh Rice University
Nanyang Technological University
Land: 🇺🇸 USA

🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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