Semiconductor substrate, integrated circuit with the semiconductor substrate, and method for manufacturing same
WO2013033876
Art A1
14. März 2013
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013033876
- Aktenzeichen
- EP11871946
- Anmeldetag
- 29. November 2011
- Veröffentlichung
- 14. März 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
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