Saw wire, and method for producing iii-nitride crystal substrate using same

WO2013035373 Art A1 14. März 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013035373
Aktenzeichen: EP12829952
Anmeldetag: 16. April 2012
Veröffentlichung: 14. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: B24B27/06B24B1/00B24D11/00B28D5/04C30B29/38H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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