Catalyst adsorption method and adsorption device

WO2013035480 Art A1 14. März 2013

Anmelder: A School Corporation Kansai University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013035480
Aktenzeichen: EP12829632
Anmeldetag: 8. August 2012
Veröffentlichung: 14. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C18/18B01J19/10H01L21/288H01L21/3205H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: A School Corporation Kansai University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von