Semiconductor device manufacturing method and substrate treatment system

WO2013035561 Art A1 14. März 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013035561
Aktenzeichen: EP12830683
Anmeldetag: 24. August 2012
Veröffentlichung: 14. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/336H01L21/822H01L27/04H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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