Method for manufacturing graphene film and pattern thereof
WO2013035900
Art A1
14. März 2013
Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013035900
- Aktenzeichen
- EP11871861
- Anmeldetag
- 8. September 2011
- Veröffentlichung
- 14. März 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B31/02H01B1/04H01L31/042H01L21/331G01N27/26
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Advanced Institute Of Science And Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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