Herstellungsverfahren für ein Siliciumcarbidhalbleiterbauelement

WO2013038862 Art A1 21. März 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013038862
Aktenzeichen: EP12830939
Anmeldetag: 14. August 2012
Veröffentlichung: 21. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L21/205H01L21/302H01L21/3065H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von