Plasma processing apparatus and method for manufacturing silicon thin-film solar cells using same

WO2013038899 Art A1 21. März 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013038899
Aktenzeichen: EP12832129
Anmeldetag: 28. August 2012
Veröffentlichung: 21. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/505

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von