Substrate having buffer layer structure for growing nitride semiconductor layer

WO2013038980 Art A1 21. März 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013038980
Aktenzeichen: EP12831037
Anmeldetag: 6. September 2012
Veröffentlichung: 21. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34C30B29/40H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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