Method for producing semiconductor device, and semiconductor device produced using production method

WO2013039099 Art A1 21. März 2013

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013039099
Aktenzeichen: EP12831253
Anmeldetag: 12. September 2012
Veröffentlichung: 21. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60B23K26/20H01L23/48H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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