Method for forming air gap interconnect structure

WO2013040751 Art A1 28. März 2013

Anmelder: ACM Research (Shanghai) Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013040751
Aktenzeichen: EP11872609
Anmeldetag: 20. September 2011
Veröffentlichung: 28. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/764

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ACM Research (Shanghai) Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 ACM Research (Shanghai)

ACM Research (Shanghai) ist die chinesische Tochtergesellschaft des US-notierten Halbleiterausrüsters ACM Research mit Sitz in Shanghai, der Reinigungs- und Beschichtungsanlagen für die Chipfertigung herstellt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken den Zeitraum von 2007 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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