Heating plate with diode planar heater zones for semiconductor processing

WO2013042030 Art A1 28. März 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013042030
Aktenzeichen: EP12834550
Anmeldetag: 17. September 2012
Veröffentlichung: 28. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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