Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2013042608 Art A1 28. März 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013042608
Aktenzeichen: EP12834386
Anmeldetag: 13. September 2012
Veröffentlichung: 28. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/3205H01L21/3213H01L21/336H01L21/768H01L23/532H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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