Semiconductor device

WO2013042696 Art A1 28. März 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013042696
Aktenzeichen
EP12832914
Anmeldetag
12. September 2012
Veröffentlichung
28. März 2013
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/786C01G9/02C01G15/00C01G19/00C01G19/02H01L21/28H01L21/336H01L21/8242H01L21/8244H01L21/8247H01L27/108H01L27/11H01L27/115H01L29/41H01L29/417H01L29/788H01L29/792
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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