Use of etch process post wordline definition to improve data retention in a flash memory device

WO2013043184 Art A1 28. März 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013043184
Aktenzeichen: EP11872650
Anmeldetag: 22. September 2011
Veröffentlichung: 28. März 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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