Vertical selection transistor, memory cell, and three-dimensional memory array structure and method for fabricating the same

WO2013044612 Art A1 4. April 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013044612
Aktenzeichen: EP12834706
Anmeldetag: 12. März 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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