Halbleiterschichtenfolge, Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
WO2013045178
Art A1
4. April 2013
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013045178
- Aktenzeichen
- EP12753105
- Anmeldetag
- 22. August 2012
- Veröffentlichung
- 4. April 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/343H01L33/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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