Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an euv mirror, euv mirror, and euv lithography apparatus

WO2013045310 Art A1 4. April 2013

Anmelder: Carl Zeiss SMT GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013045310
Aktenzeichen: EP12766622
Anmeldetag: 18. September 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G02B5/08G21K1/06G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Carl Zeiss SMT GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Carl Zeiss SMT

Deutsches Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe mit Sitz in Oberkochen, das optische Systeme und Lithographieoptiken für die Halbleiterindustrie entwickelt.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Optik & Fototechnik

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