Verfahren zur Herstellung mindestens eines Strahlungsemittierenden Und/oder -Empfangenden Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil

WO2013045371 Art A1 4. April 2013

Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013045371
Aktenzeichen: EP12775172
Anmeldetag: 21. September 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/54H01L33/62

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

2.892 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von