Pseudo-inverter circuit with multiple independent gate transistors

WO2013045970 Art A1 4. April 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013045970
Aktenzeichen: EP11797030
Anmeldetag: 30. September 2011
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C8/08G11C11/408H03K19/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

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