Semiconductor device and method for manufacturing same

WO2013046863 Art A1 4. April 2013

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013046863
Aktenzeichen: EP12836428
Anmeldetag: 12. Juli 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/336H01L21/338H01L29/417H01L29/778H01L29/78H01L29/812H01L33/32H01L33/36

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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