Process for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target comprising high-purity lanthanum, and metal gate film comprising high-purity lanthanum as main component

WO2013047104 Art A1 4. April 2013

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013047104
Aktenzeichen: EP12836102
Anmeldetag: 4. September 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C25C3/34C22B9/22C22C28/00C23C14/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JX Nippon Mining & Metals Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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