Photoresist composition and resist pattern forming method
WO2013047528
Art A1
4. April 2013
Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013047528
- Aktenzeichen
- EP12835309
- Anmeldetag
- 25. September 2012
- Veröffentlichung
- 4. April 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/004G03F7/039
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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