Graphene and power storage device, and manufacturing method thereof

WO2013047630 Art A1 4. April 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013047630
Aktenzeichen: EP12834687
Anmeldetag: 20. September 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01M4/62C01B31/02H01M4/139H01M6/16H01M10/0566H01G11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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