Double Gate Ion Sensitive Field Effect Transistor

WO2013049463 Art A2 4. April 2013

Anmelder: STC.UNM, Zarkesh-Ha, Payman, Brueck, Steven R.J., Edwards, Jeremy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013049463
Aktenzeichen: EP12836714
Anmeldetag: 28. September 2012
Veröffentlichung: 4. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/788H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STC.UNM
Zarkesh-Ha, Payman
Brueck, Steven R.J.
Edwards, Jeremy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Stc.unm

STC.UNM ist die Technologietransfergesellschaft der University of New Mexico in den USA. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik, Pharma-/Biotechnologie und Mess-, Prüf- sowie Halbleitertechnik. Die Anmeldungen von 2001 bis 2020 reichen von Isotopentrennverfahren bis zur elektrischen Impedanzspektroskopie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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