Method for forming photoresist pattern and method for forming etching mask

WO2013051383 Art A1 11. April 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013051383
Aktenzeichen: EP12838520
Anmeldetag: 13. September 2012
Veröffentlichung: 11. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/38G03F7/039G03F7/32G03F7/40H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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