Cobalt-film-forming method, cobalt-film-forming material, and novel compound

WO2013051670 Art A1 11. April 2013

Anmelder: Gas-Phase Growth Ltd., Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013051670
Aktenzeichen: EP12837877
Anmeldetag: 4. Oktober 2012
Veröffentlichung: 11. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/18C07C257/14C07C211/65C07F15/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Gas-Phase Growth Ltd.
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Organische Chemie

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