Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2013054580 Art A1 18. April 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013054580
Aktenzeichen: EP12840249
Anmeldetag: 30. Juli 2012
Veröffentlichung: 18. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B29/36H01L21/20H01L21/265H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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