Composition for forming resist underlayer film, method for manufacturing same, pattern forming method, and resist underlayer film

WO2013054702 Art A1 18. April 2013

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013054702
Aktenzeichen: EP12840548
Anmeldetag: 2. Oktober 2012
Veröffentlichung: 18. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von