Ion source and ion beam device using same

WO2013054799 Art A1 18. April 2013

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013054799
Aktenzeichen: EP12840050
Anmeldetag: 10. Oktober 2012
Veröffentlichung: 18. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01J27/26H01J37/08H01J37/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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