Nonvolatile memory device having a 3-dimensional structure, method of manufacturing same, and memory chip

WO2013054958 Art A1 18. April 2013

Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013054958
Aktenzeichen: EP11873789
Anmeldetag: 13. Oktober 2011
Veröffentlichung: 18. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute Of Science And Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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