Method for etching euv reflective multi-material layers utilized to form a photomask

WO2013055586 Art A1 18. April 2013

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013055586
Aktenzeichen: EP12839380
Anmeldetag: 5. Oktober 2012
Veröffentlichung: 18. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/80G03F1/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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