Method of creating two dimensional doping patterns in solar cells

WO2013055627 Art A1 18. April 2013

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013055627
Aktenzeichen: EP12778884
Anmeldetag: 8. Oktober 2012
Veröffentlichung: 18. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/18H01L31/0224H01L31/068H01J37/317H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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