Float gate structure for flash memory device and preparation method thereof

WO2013056491 Art A1 25. April 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013056491
Aktenzeichen: EP11874160
Anmeldetag: 30. November 2011
Veröffentlichung: 25. April 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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